Samsung разработала самую быструю флеш-память для смартфонов UFS 4.0. Пропускная способность по сравнению со стандартом UFS 3.1 выросла вдвое и теперь составляет до 23.2 Гбит/с.
Скорость чтения и записи повысили до 4200 и 2800 МБ/с соответственно против прежних 2100 и 1200 МБ/с. Кроме того, на 46% улучшена энергоэффективность — UFS 4.0 при нагрузке 1 мА обеспечивает скорость чтения 6.0 МБ/с. Это должно положительно сказаться на автономности будущих устройств.
Массовое производство памяти запустят в третьем квартале этого года. Она будет использоваться не только в смартфонах, но и планшетах, шлемах виртуальной реальности и прочих устройствах.
