IBM и Samsung разработали прорывную технологию вертикального размещения транзисторов. Говорят, что благодаря этому будущие чипы будут потреблять на 85% меньше энергии, а смартфоны смогут работать больше недели без подзарядки.
Если в большинстве микросхем транзисторы располагаются горизонтально, то теперь их можно размещать друг над другом. Технология называется Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET). Она позволяет обойти существующие ограничения и в перспективе преодолеть рубеж в 1-нм.
Транзисторы VTFET способны либо вдвое увеличить производительность, либо на 85% повысить энергоэффектиность по сравнению с традиционной технологией FinFET. Разработка будет полезна не только в смартфонах, но и компьютерах и самых разных областях. Например, майнинг криптовалют станет менее вредным для окружающей среды, поскольку потребует гораздо меньше энергии.
Пока IBM и Samsung не готовы назвать сроки внедрения нового техпроцесса. До производства коммерческих чипов, по их словам, еще очень далеко.
